Химики Университета Лобачевского выиграли грант на разработку отечественной технологии синтеза высокочистого арсенида галлия. Материал необходим для СВЧ-электроники и лазерной техники, сообщили в пресс-службе вуза.
Нижегородские ученые предложили разработать собственный метод получения высокочистого поликристаллического арсенида галлия (GaAs). Сейчас в России отсутствуют отечественные технологии для выращивания монокристаллического GaAs – базового материала СВЧ-электроники и лазерной техники.
«Сложившаяся в НИИ химии научная школа, опыт работы нашей лаборатории позволяют реализовать проект, направленный на выстраивание технологической цепочки производства необходимых веществ в объёме, полностью удовлетворяющем потребности внутреннего рынка, в перспективе – с выходом на внешний рынок», – рассказал руководитель проекта, заведующий Научно-исследовательской лабораторией технологии высокочистых материалов НИИ химии ННГУ Леонид Мочалов.
Проект химиков ННГУ победил в грантовом конкурсе Российского научного фонда в научно-технологической сфере. На его реализацию направят 95 млн рублей - работа продлится три года.
Индустриальным партнёром ННГУ в этом исследовании выступит компания «ЛАССАРД» – один из крупнейших производителей лазерных компонентов в России. Аналитическим партнёром является Российский химико-технологический университет им. Д.И. Менделеева.
«На момент завершения проекта ННГУ должен передать индустриальному партнёру три продукта: технологию синтеза, макет установки производительностью 500 кг в год, а именно такова, по данным Минпромторга РФ, потребность внутреннего рынка в высокочистом арсениде галлия, а также опытный образец. Впереди серьёзная и интересная работа на благо страны», – рассказал ректор ННГУ Олег Трофимов.
Ранее на сайте сообщалось, что химики ННГУ им. Лобачевского рассказали о новейших разработках.